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Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

159,60 

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Disponibilità: 40 disponibili

Velocita` spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attivita` in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocita` di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file piu` pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai piu` problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Piu` spazio. Massima velocita`.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione piu` rapida di grandi volumi di dati e massima fluidita` dei contenuti grafici piu` elaborati grazie all`area TurboWrite piu` ampia, disponibile con una capacita` di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunita` SSD. un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell`unita` SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung e` alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND e` integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocita` di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilita`
Fino a 4 TB di capacita` estesa e tutta la rapidita` della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un`area TurboWrite piu` ampia.



Caratteristiche
Versione di NVMe
:
2.0
Algoritmi di sicurezza supportati
:
256-bit AES
Capacita` SSD
:
1 TB
Dimensione SSD
:
M.2
Interfaccia
:
PCI Express 4.0
NVMe
:
Si`
Tipo memoria
:
V-NAND TLC
Componente per
:
PC
criptaggio hardware
:
Si`
Dimensioni dell`unita` SSD M.2
:
2280 (22 x 80 mm)
Velocita` di lettura
:
7150 MB/s
Velocita` di scrittura
:
6300 MB/s
Lettura casuale (4KB)
:
850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
:
1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.
:
Si`
Supporto TRIM
:
Si`
Tempo medio tra guasti (MTBF)
:
1500000 h

Dimensioni e peso
Larghezza
:
80, 2 mm
Profondita`
:
2, 38 mm
Altezza
:
22, 1 mm
Peso
:
9 g

Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento
:
0 – 70 C


questi dettagli tecnici possono essere indicativi. si consiglia in sede di acquisto di verificare anche presso i siti dei produttori

MARCA

SAMSUNG

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